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电子元器件详细资料 » IC[21858] » IPW65R660CFD
型号:IPW65R660CFD类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-247-3描述:MOSFET N-CH 700V 6.0A TO247

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 700V 6.0A TO247
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)700V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C660 毫欧 @ 2.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 200µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs22nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds615pF @ 100V
功率_最大62.5W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商设备封装PG-TO247-3
包装管件

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
上海传泽电子科技有限公司陈13381567868
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深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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